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IXGQ20N120B中文资料

IXGQ20N120B图片

IXGQ20N120B外观图

  • 大小：598.7KB
  • 厂家：IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述：High Voltage IGBT with Diode
  • 标准包装：30
  • 类别：分离式半导体产品
  • 家庭：IGBT - 单路
  • 系列：-
  • IGBT 类型：PT
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V
  • Vge, Ic时的最大Vce（开）：3.4V @ 15V，20A
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：40A
  • 功率 - 最大：190W
  • 输入类型：标准型
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-3P-3，SC-65-3
  • 供应商设备封装：TO-3P
  • 包装：管件

IXGQ20N120B供应商

更新时间:2023-01-09 22:08:07
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